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6月30日，三星电子宣布已开始利用先进的3纳米制程工艺量产芯片，成为全球第一家量产3纳米芯片的公司。三星没有公布3纳米工艺的客户，不过，分析师称，三星自己和中国企业（上海磐矽半导体）预计将成为3纳米工艺的首批客户。三星联席CEO庆桂显今年稍早时候表示，其代工业务将在中国寻找新客户，中国市场预计将实现高增长速度。

与前几代使用FinFET的芯片不同，三星使用的GAA（GateAllAround）晶体管架构大大改善了功率效率。利用3nmGAA技术，三星将能够调整纳米片的通道宽度，以优化功耗和性能从而满足各种客户需求。

三星表示，和传统5纳米工艺相比，新开发的第一代3纳米工艺能够将功耗降低至多45%，性能提升23%，芯片面积减少16%；未来第二代3nm工艺则使功耗降低50%，性能提升30%，芯片面积减少35%。

尽管三星抢先量产了3纳米芯片，但是台积电计划在2025年量产2纳米芯片。台积电目前是全球最大芯片代工商，控制着大约54%的芯片代工市场，客户包括苹果公司、高通公司。三星排在第二，但市场份额只有16.3%。三星已在去年宣布投资171万亿韩元（约合1320亿美元），目标是在2030年超越台积电成为全球最大逻辑芯片制造商。

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